[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201210576962.2 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103311290A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 尾崎史朗 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/51;H01L21/335;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。具体而言，提供一种制造半导体器件的方法，可以在衬底上形成氮化物半导体层，通过ALD的蒸汽氧化在氮化物半导体层上形成第一绝缘层，通过ALD的氧等离子体氧化在第一绝缘层上形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成栅电极，以及在氮化物半导体层上形成源电极和漏电极。该氮化物半导体层可以包括在衬底上的第一半导体层和在第一半导体层上的第二半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：形成在衬底上的氮化物半导体层；形成在所述氮化物半导体层上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的栅电极；以及与所述氮化物半导体层接触的源电极和漏电极，其中所述氮化物半导体层包括形成在所述衬底上的第一半导体层和形成在所述第一半导体层上的第二半导体层，其中所述绝缘层包括形成在所述第二半导体层上的第一绝缘层和形成在所述第一绝缘层上的第二绝缘层，以及其中所述第二绝缘层的密度高于所述第一绝缘层的密度。
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