[发明专利]一种超薄单晶硅片的直拉制备方法有效
| 申请号： | 201210577671.5 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103014838A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 丁建宁;袁宁一 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及超薄单晶硅片制造技术领域，特别涉及一种厚度小于40um的单晶硅片的制备方法，应用于半导体器件和太阳电池领域。其特征在于包括如下步骤：把原料多晶硅块放入单晶炉的石英坩埚中；单晶炉关闭，抽真空到10-2-10-3Torr，然后冲入高纯氩，保持单晶炉内真空度保持在10~20Torr；在单晶炉中，加热融化石英坩埚中的多晶硅原料，单晶炉中加热温度为1412-1450℃；当硅熔体的温度稳定以后，将固定在提拉结构上的线状籽晶浸入硅熔体中，保温5-10min后提拉，提拉结构是由线径为10-30微米钨丝线组成的钨丝线框，提拉速度在20-50mm/min；提拉结构与液面分开后，升至上炉室冷却20-60min后取出，超薄晶片覆盖在钨丝框上；开单晶炉取出硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超薄单晶硅片的直拉制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）把原料多晶硅块放入单晶炉的石英坩埚中；（2）单晶炉关闭，抽真空到10‑2‑10‑3Torr，然后冲入高纯氩，保持单晶炉内真空度保持在10~20 Torr；（3）在单晶炉中，加热融化石英坩埚中的多晶硅原料，单晶炉中加热温度为1412‑1450℃；（4）当硅熔体的温度稳定以后，将固定在提拉结构上的线状籽晶浸入硅熔体中，保温5‑10min后提拉，提拉结构是由线径为10‑30 微米钨丝线组成的钨丝线框，提拉速度在20‑50 mm/min；（5）提拉结构与液面分开后，升至上炉室冷却20‑60min后取出，超薄晶片覆盖在钨丝框上；（6）开单晶炉取出硅片。
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