[发明专利]一种高效率肖特基芯片无效
| 申请号： | 201210577964.3 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103022137A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉;吕新立 | 申请（专利权）人： | 淄博美林电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种高效率肖特基芯片，属于半导体器件制造技术领域。包括顶部金属层（1）、顶部金属层（1）下方的肖特基界面（5）、紧靠肖特基界面（5）下方的多晶硅（2）、多晶硅外周的第一沟槽（3）、下部的N型外延层N-EPI（6）和N型基片N+Substrate（7），其特征在于：在两相邻第一沟槽之间增设第二沟槽（4），使肖特基界面成为平面和沟槽相间隔的结构。与现有技术相比，具有提高肖特基芯片的通电效率，降低正向压降等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效率 肖特基 芯片 | ||
【主权项】：
一种高效率肖特基芯片，包括顶部金属层（1）、顶部金属层（1）下方的肖特基界面（5）、紧靠肖特基界面（5）下方的多晶硅（2）、多晶硅外周的第一沟槽（3）、下部的N型外延层N‑EPI（6）和N型基片N+Substrate（7），其特征在于：在两相邻第一沟槽之间增设第二沟槽（4），使肖特基界面成为平面和沟槽相间隔的结构。
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