[发明专利]不同Nand闪存兼容方法及装置在审
| 申请号： | 201210578349.4 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103902461A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 阮贤章;黄延军;曹知渊 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 梁军 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种不同Nand闪存兼容方法及装置。该方法包括：将Nand闪存驱动、以及USB驱动写入到Nand闪存中预先划分的引导区，加载引导区中的驱动程序到RAM中运行，初始化Nand闪存，建立逻辑到物理块转换表，并将包含系统代码以及系统配置信息的软件包写入到Nand闪存中保留区；在系统上电时，通过只读存储器ROM中的程序对不同构架的Nand闪存的枚举，加载引导区中的Nand闪存驱动、USB驱动、以及其它系统程序到RAM中运行，初始化Nand闪存，重新建立Nand闪存的逻辑到物理块转换表，并根据需要将保留区中的软件包加载到RAM中；根据逻辑到物理块转换表将用户数据写入用户数据区或者从用户数据区中读取数据。 | ||
| 搜索关键词： | 不同 nand 闪存 兼容 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种不同Nand闪存兼容方法，其特征在于，包括：将Nand闪存驱动、以及USB驱动写入到Nand闪存中预先划分的引导区，加载引导区中的驱动程序到随机存储器RAM中运行，初始化Nand闪存，建立逻辑到物理块转换表，并将包含系统代码以及系统配置信息的软件包写入到所述Nand闪存中预先划分的保留区，其中，所述引导区为物理分区，所述保留区为逻辑分区；在系统上电时，通过只读存储器ROM中的程序对不同构架的Nand闪存的枚举，加载所述引导区中的所述Nand闪存驱动、所述USB驱动、以及其它系统程序到所述RAM中运行，初始化所述Nand闪存，根据Nand闪存冗余区中的信息重新建立所述Nand闪存的逻辑到物理块转换表，并根据需要将所述保留区中的所述软件包加载到所述RAM中；根据所述逻辑到物理块转换表将用户数据写入所述用户数据区或者从用户数据区中读取数据，其中，所述用户数据区为逻辑分区。
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