[发明专利]光刻用准分子激光器剂量稳定控制方法

摘要

本发明公开了一种光刻用准分子激光器剂量稳定控制方法，将准分子激光器所发出的每一脉冲串分为K区和L区，并分别对K区和L区的脉冲使用不同的算法对放电电压进行调节，所述的不同的算法为对K区使用KPI算法对电压进行调节，在L区使用PI控制算法对电压进行调节。本发明是针对以脉冲串模式工作的光刻用准分子激光器而设计的，提出的KPI算法具备新颖性和科学性，有利于降低激光器的剂量波动，改善激光器的出光性能。

主权项

一种光刻用准分子激光器剂量稳定控制方法，其特征在于：将准分子激光器所发出的每一脉冲串分为K区和L区，并分别对K区和L区的脉冲使用不同的算法对放电电压进行调节，所述的不同的算法为对K区使用KPI算法对电压进行调节，在L区使用PI控制算法对电压进行调节，所述的每个脉冲串中第N个脉冲的放电电压KPI算法表达式如下：VN=(VB)N‑(VC)N‑1,N=1,2…K        (1)其中，VN是每一脉冲串中第N个脉冲的放电电压；(VB)N是K区第N个脉冲产生目标能量ET所需要的最佳估算电压；(VC)N‑1是当前脉冲串中与前N‑1个脉冲能量误差对应的电压偏差。