[发明专利]制备微纳米柱发光二极管的方法无效
| 申请号： | 201210579063.8 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103022299A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 安铁雷;孙波;孔庆峰;魏同波;段瑞飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备微纳米柱发光二极管的方法。该方法包括：在发光二极管外延片上制作微纳米尺度的周期结构图形掩模；采用物理刻蚀的方式，将周期结构图形掩模转移至发光二极管外延片，形成微纳米柱；在发光二极管外延片上微纳米柱的间隙填充中间绝缘介质；去除发光二极管外延片上周期结构图形掩模，以及在填充中间填充绝缘介质的发光二极管外延片上制作电极，形成微纳米柱发光二极管。本发明采用周期性的图形化掩模，刻蚀得到相同大小的结构空隙，从而在填充绝缘介质时，尽可能的保证绝缘介质的填充均匀，从而解决了正反向漏电大的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 纳米 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
一种制备微纳米柱发光二极管的方法，其特征在于，包括：在发光二极管外延片上制作微纳米尺度的周期结构图形掩模；采用物理刻蚀的方式，将所述周期结构图形掩模转移至所述发光二极管外延片，形成微纳米柱；在所述发光二极管外延片上微纳米柱的间隙填充中间绝缘介质；去除所述发光二极管外延片上周期结构图形掩模，以及在填充中间填充绝缘介质的发光二极管外延片上制作电极，形成微纳米柱发光二极管。
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