[发明专利]钨-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元制备方法

摘要

本发明提供一种钨-锑-碲相变材料的原子层沉积方法及相变存储单元的制备方法，包括：1）在基底上引入SbCl₃脉冲，清洗未被吸收的SbCl₃，然后引入(R₃Si)₂Te脉冲，清洗未被吸收的(R₃Si)₂Te和反应副产物；2）引入H₂与Si₂H₆混合脉冲，清洗残余的H₂与Si₂H₆，然后引入WF₆脉冲，清洗残余WF₆和反应副产物；3）引入SbCl₃脉冲，清洗残余的SbCl₃，然后引入(R₃Si)₃Sb脉冲，清洗未被吸收的(R₃Si)₃Sb和反应副产物；4）重复上述步骤1）~2），或步骤1）~3），形成循环周期。基于本方法可制备出相应的相变存储单元。采用本发明方法制备的钨-锑-碲相变材料具有厚度精确可控，薄膜致密性好，填孔能力强的特点。采用这种方法制备的相变薄膜应用到存储器中，可实现高密度存储，同时可以获得低功耗的器件。

主权项

一种钨‑锑‑碲相变材料的原子层沉积方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）在基底上引入SbCl₃脉冲，清洗未被吸收的的SbCl₃，然后引入(R₃Si)₂Te脉冲，清洗未被吸收的(R₃Si)₂Te和反应副产物；2）向上述基底引入H₂与Si₂H₆混合脉冲，清洗残余的H₂与Si₂H₆，然后引入WF₆脉冲，清洗残余WF₆和反应副产物；3）向上述基底引入SbCl₃脉冲，清洗残余的SbCl₃，然后引入(R₃Si)₃Sb脉冲，清洗未被吸收的(R₃Si)₃Sb和反应副产物；4）重复上述步骤1）~2），或步骤1）~3），形成循环周期。