[发明专利]制作微纳米柱发光二极管的方法无效
| 申请号： | 201210579602.8 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103022300A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 安铁雷;孙波;孔庆峰;魏同波;段瑞飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种制备微纳米柱发光二极管的方法。该方法包括在发光二极管外延片上生长抗刻蚀层；在抗刻蚀层上制作微纳米尺度的周期结构图形掩模；采用物理刻蚀的方法，将周期结构图形掩模转移至抗刻蚀层和发光二极管外延片上，形成微纳米柱；在发光二极管外延片上微纳米柱的间隙填充绝缘介质；去除发光二极管外延片上的抗刻蚀层，以及在去除抗刻蚀层的发光二极管外延片上制作pn电极，形成微纳米柱发光二极管。本发明制备微纳米柱氮化镓基LED的方法采用周期性的图形化掩模，刻蚀得到相同大小的结构空隙，从而在填充绝缘介质时，尽可能的保证绝缘介质的填充均匀，从而解决了正反向漏电大的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 纳米 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
一种制作微纳米柱发光二极管的方法，其特征在于，包括：在发光二极管外延片上生长抗刻蚀层；在所述抗刻蚀层上制作微纳米尺度的周期结构图形掩模；采用物理刻蚀的方法，将所述周期结构图形掩模转移至抗刻蚀层和发光二极管外延片上，形成微纳米柱；在所述发光二极管外延片上微纳米柱的间隙填充绝缘介质；去除所述发光二极管外延片上的抗刻蚀层，以及在去除抗刻蚀层的发光二极管外延片上制作pn电极，形成微纳米柱发光二极管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210579602.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
