[发明专利]碳化硅横向肖特基结型微型核电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201210579813.1 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103035310A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 张林;李清华;邱彦章;巨永锋 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710064 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅横向肖特基结型微型核电池及其制造方法，其核电池包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极，N型SiC外延层上部设有肖特基接触电极；N型SiC外延层上部除去欧姆接触电极和肖特基接触电极的区域设有二氧化硅层。其制造方法包括步骤：一、一、提供衬底，二、在衬底上外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成二氧化硅层，五、形成欧姆接触电极，六、形成肖特基接触电极。本发明设计新颖合理，有利于提高微型核电池的能量转换效率和封装密度，有利于集成，实用性强，推广应用价值高。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 横向 肖特基结型 微型 核电 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅横向肖特基结型微型核电池，其特征在于：包括由N型SiC基片构成的衬底（1）和设置在所述衬底（1）上部的N型SiC外延层（2），所述N型SiC外延层（2）上设置有N型SiC欧姆接触掺杂区（3），所述N型SiC欧姆接触掺杂区（3）上部设置有形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区（3）形状相同的欧姆接触电极（4），所述N型SiC外延层（2）上部设置有肖特基接触电极（5）；所述N型SiC欧姆接触掺杂区（3）、欧姆接触电极（4）和肖特基接触电极（5）均为由一条水平指条和多条垂直指条构成的指状结构，所述欧姆接触电极（4）的垂直指条与所述肖特基接触电极（5）的垂直指条相互交叉设置构成了叉指结构；所述N型SiC外延层（2）上部除去欧姆接触电极（4）和肖特基接触电极（5）的区域设置有二氧化硅层（6）。
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