[发明专利]极化增强的p-i-n结InGaN太阳电池

摘要

本发明公开了一种极化增强的p-i-n结InGaN太阳电池，其结构由下至上依次为：衬底、GaN层、全应变弛豫高In组分InyGa1-yN层、InGaN超晶格层、高In组分n-InyGa1-yN层、高In组分i-InxGa1-xN层、高In组分p-InyGa1-yN层、p-GaN覆盖层；在高In组分n-InyGa1-yN层上引出负电极，在p-GaN覆盖层上引出正电极。本发明的p-i-n结InGaN太阳电池结构是直接生长在全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层上的，全应变弛豫InGaN层与InGaN超晶格层不会对p-i-n结InGaN太阳电池层产生失配应力，可以有效提高p-i-n结InGaN太阳电池材料的质量和电池转换效率；另外较高In组分的n-InGaN层与p-InGaN层将较低In组分的i-InGaN层夹在中间，品格的失配在i-InGaN层中引入了拉应变，可进一步提高p-i-n结InGaN太阳电池的转换效率。

主权项

一种极化增强的p‑i‑n结InGaN太阳电池，其特征在于，其结构由下至上依次为：衬底(1)、GaN层(2)、全应变弛豫高In组分InyGa1‑yN层(3)、InGaN超晶格层(4)、高In组分n‑InyGa1‑yN层(5)、高In组分i‑InxGa1‑xN层(7)、高In组分p‑InyGa1‑yN层(8)、p‑GaN覆盖层(9)；在高In组分n‑InyGa1‑yN层(5)上引出负电极(6)，在p‑GaN覆盖层(9)上引出正电极(10)。