[发明专利]碳化硅温度传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201210580213.7 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103033276A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 张林;李演明;邱彦章;巨永锋 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01;H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710064 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅温度传感器及其制造方法，其传感器包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上部设有圆形肖特基接触电极，N型SiC外延层上位于肖特基接触电极的外侧设有圆环形N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极，位于欧姆接触电极与肖特基接触电极之间以及欧姆接触电极外围的N型SiC外延层上部均设有二氧化硅层；其制造方法包括步骤：一、提供衬底，二、外延生长N型SiC外延层，三、形成N型SiC欧姆接触掺杂区，四、形成二氧化硅层，五、形成欧姆接触电极，六、形成肖特基接触电极，七、热退火。本发明设计合理，线性度和封装密度好，有利于集成，推广应用价值高。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 温度传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅温度传感器，其特征在于：包括由N型SiC基片构成的衬底（1）和设置在所述衬底（1）上部的N型SiC外延层（2），所述N型SiC外延层（2）上部中间位置处设置有圆形的肖特基接触电极（5），所述N型SiC外延层（2）上位于所述肖特基接触电极（5）的外侧设置有圆环形的N型SiC欧姆接触掺杂区（3），所述N型SiC欧姆接触掺杂区（3）上部设置有圆环形的欧姆接触电极（4），所述N型SiC欧姆接触掺杂区（3）、欧姆接触电极（4）和肖特基接触电极（5）同心设置，位于所述欧姆接触电极（4）与肖特基接触电极（5）之间的N型SiC外延层（2）上部，以及位于所述欧姆接触电极（4）外围的N型SiC外延层（2）上部均设置有二氧化硅层（6）。
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