[发明专利]一种高增益多层介质复合双圆极化微带阵列天线无效
申请号: | 201210580494.6 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN103022730A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 刘埇;司黎明;赵鹏飞;卢宏达;朱思衡;倪鸿宾;吕昕 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | H01Q21/24 | 分类号: | H01Q21/24;H01Q1/38;H01Q13/08;H01Q1/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种高增益多层介质复合双圆极化微带阵列天线,属于天线技术领域。包括9个微带天线单元、两组馈电网络、下层介质基板、上层介质基板、金属支架、介质支柱和90°电桥电路。本发明是基于微带天线理论提出的,设计出了一种增益相对于传统微带天线单元提高2dB的双层微带天线单元;设计了包含1分2不等功分,1分3等功分,1分6等功分的两组等幅同相馈电网络,合理排布在有限空间内,并保证了馈电端幅度及相位良好的稳定性;左旋圆极化及右旋圆极化模式同时工作,在发射或者接收左旋圆极化电磁波信号的同时,可以同时发射或者接收右旋圆极化电磁波信号。 | ||
搜索关键词: | 一种 增益 多层 介质 复合 极化 微带 阵列 天线 | ||
【主权项】:
一种高增益多层介质复合双圆极化微带阵列天线,其特征在于:包括9个微带天线单元、两组馈电网络、下层介质基板、上层介质基板、金属支架、介质支柱和90°电桥电路;所述的9个微带天线单元完全相同,且组成3×3天线阵列;所述的90°电桥电路包括90°电桥芯片及其微带电路;所述的两组馈电网络是等幅同相的;90°电桥电路上有两个与外围设备的连接端口,分别为接口A和接口B,分别对应左旋圆极化电磁波信号和右旋圆极化电磁波信号,固定在金属支架背面;金属支架正面内部支撑着下层介质基板和上层介质基板,下层介质基板和上层介质基板之间以介质支柱辅助支撑,形成空气层,两组馈电网络蚀刻在下层介质基板上,9个微带天线单元蚀刻在下层介质基板和上层介质基板上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京理工大学,未经北京理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210580494.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。