[发明专利]开关电源的极限峰值电流检测电路有效
申请号: | 201210580800.6 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN103033669A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 周伟江 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
主分类号: | G01R19/04 | 分类号: | G01R19/04;G01R19/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 310012*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种开关电源的极限峰值电流检测电路,包括:基准电流源,其输出端经由第一电阻接地;电压比较器,其正输入端连接基准电流源的输出端;功率MOSFET晶体管,其控制端连接电压比较器的输出端;功率MOSFET晶体管的输出端直接接地;检测MOSFET晶体管,其控制端连接电压比较器的输出端,其输出端连接电压比较器的负输入端并且经由第二电阻接地,其输入端连接功率MOSFET晶体管的输入端,基准电流源具有正温度系数,第一电阻和第二电阻的比值与温度无关,检测MOSFET晶体管和功率MOSFET晶体管的导通电阻的比值与温度无关。本发明能够实现对极限峰值电流检测的温度补偿,并有利于降低成本、减小功耗损失。 | ||
搜索关键词: | 开关电源 极限 峰值 电流 检测 电路 | ||
【主权项】:
一种开关电源的极限峰值电流检测电路,包括:基准电流源,其输出端经由第一电阻接地;电压比较器,其正输入端连接所述基准电流源的输出端;功率MOSFET晶体管,其控制端连接所述电压比较器的输出端;其特征在于,所述功率MOSFET晶体管的输出端直接接地;所述极限峰值电流检测电路还包括:检测MOSFET晶体管,其控制端连接所述电压比较器的输出端,其输出端连接所述电压比较器的负输入端并且经由第二电阻接地,其输入端连接所述功率MOSFET晶体管的输入端,其中所述基准电流源具有正温度系数,所述第一电阻和第二电阻的比值与温度无关,所述检测MOSFET晶体管和功率MOSFET晶体管的导通电阻的比值与温度无关。
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