[发明专利]一种电力半导体芯片台面处理方法有效
| 申请号： | 201210580864.6 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103035491A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 项卫光;徐伟;李有康;李晓明 | 申请（专利权）人： | 浙江正邦电力电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 柯利进 |
| 地址： | 321400 浙江省丽水市缙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电力半导体芯片台面处理方法，包括对芯片台面依次进行腐蚀、清洗和烘干处理，其特征是：腐蚀处理时，所述芯片整齐重叠成柱状，并横置于有相应凹槽的耐腐蚀篮中，然后将该芯片和耐腐蚀篮一起放入盛有腐蚀液的耐腐蚀盘内，所述腐蚀液面高出芯片顶边1-2厘米，耐腐蚀盘放置在超声波清洗器的工作槽中，工作槽中盛有2-3厘米深度清水，腐蚀处理时间为40-55秒；清洗处理时，将耐腐蚀篮和芯片一起取出，然后按常规使用清水将芯片清洗干净；烘干处理时，将清洗干净后的芯片水平摆放后按常规烘干。本发明处理效率高，效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电力 半导体 芯片 台面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种电力半导体芯片台面处理方法，包括对芯片台面依次进行腐蚀、清洗和烘干处理，其特征是：腐蚀处理时，所述芯片整齐重叠成柱状，并横置于有相应凹槽的耐腐蚀篮中，然后将该芯片和耐腐蚀篮一起放入盛有腐蚀液的耐腐蚀盘内，所述腐蚀液面高出芯片顶边1‑2厘米，耐腐蚀盘放置在超声波清洗器的工作槽中，工作槽中盛有2‑3厘米深度清水，腐蚀处理时间为40‑55秒；清洗处理时，将耐腐蚀篮和芯片一起取出，然后按常规使用清水将芯片清洗干净；烘干处理时，将清洗干净后的芯片水平摆放后按常规烘干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
