[发明专利]一种多级电阻转换存储器无效
| 申请号： | 201210581341.3 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103106919A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 孟宪斌;任知良;王明刚 | 申请（专利权）人： | 青岛润鑫伟业科贸有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人： | 何自刚 |
| 地址： | 266000 山东省青岛*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多级电阻转换存储器，其特征在于，该存储器由包括锗、锑、硒三种元素的存储材料构成，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.1～15∶75～99.8∶0.1～10。经过测量，材料的高、中电阻值差异超过两个数量级，中、低电阻值差异大约为一个数量级。符合理论推算和设备要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多级 电阻 转换 存储器 | ||
【主权项】：
一种多级电阻转换存储器，其特征在于，该存储器由包括锗、锑、硒三种元素的存储材料构成，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.1～15∶75～99.8∶0.1～10。
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