[发明专利]一种提高量子效率的光转换薄膜无效
申请号: | 201210581417.2 | 申请日: | 2012-12-27 |
公开(公告)号: | CN103066136A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 邵国键;娄朝刚;肖东 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L33/50 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 游富英 |
地址: | 211189 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种提高量子效率的光转换薄膜,包括衬底,在衬底的其中一个表面设置有表面等离子体激元层和光转换层。为了在入射光强不太高的情况下提高光转换材料的量子效率,本发明在衬底的其中一个表面设置表面等离子体激元层和光转换层;利用表面等离子体激元的近场耦合效应,将入射光局限于光转换层的表面,同时借助其近场增强的作用,提高入射到光转换层表面的光的强度。利用斯托克斯效应,将光谱中高能量光子转换成更多的低能量光子,经表面等离子体激元层及光转换层后,总光子数得到增加,量子效率得到提升,入射光得到更有效利用。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 量子 效率 转换 薄膜 | ||
【主权项】:
一种提高量子效率的光转换薄膜,包括衬底,其特征在于在衬底的其中一个表面设置有表面等离子体激元层和光转换层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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