[发明专利]监测离子注入机均匀性与稳定性的方法及其使用的治具无效
| 申请号： | 201210582286.X | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103050360A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 于锋;邱勇;徐柯;秦心宇;黄秀颀 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/30 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 朱振德 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种监测离子注入机均匀性与稳定性的方法及治具。该治具包括治具基板和设置在所述治具基板上的固定物。该方法包括：A.将硅片固定于治具上；B.将载有硅片的治具传入离子注入机工艺腔室进行注入；C.注入完成后对硅片进行退火工艺；D.在硅片上选取测量点，并且对测量点进行测量，完成对离子注入机均匀性与稳定性的监测。本发明可以采用成熟的晶圆制造工艺制作硅片，制作出的硅片均匀性好，克服了现有技术中淀积成膜监测法受成膜质量与晶化质量影响的缺陷，并且晶圆的杂质激活温度可达1000摄氏度以上，可有效地对注入杂质进行全部激活。另外，本发明不需要占用成膜设备、结晶化设备等设备的机时，可有效降低长期成本。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 离子 注入 均匀 稳定性 方法 及其 使用 | ||
【主权项】：
一种监测离子注入机均匀性与稳定性的方法，其特征在于，包括：A、将硅片固定于治具上，所述治具包括治具基板和设置在所述治具基板上的固定物；B、将载有硅片的治具传入离子注入机工艺腔室进行注入；C、注入完成后对硅片进行退火工艺；D、在硅片上选取测量点，并且对测量点进行测量，完成对离子注入机均匀性与稳定性的监测。
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