[发明专利]低比表面积碳纳米管磷酸盐类嵌锂正极材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210584369.2 申请日: 2012-12-31
公开(公告)号: CN103022489A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 谢宝东;毛鸥;郑涛 申请(专利权)人: 北京天奈科技有限公司
主分类号: H01M4/58 分类号: H01M4/58
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100023 北京市大兴*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了属于锂离子二次电池正极材料技术领域的一种低比表面积碳纳米管原位复合橄榄石型磷酸盐类嵌锂正极材料。该正极材料由磷酸盐嵌锂化合物和碳构成。本发明还公开了上述磷酸盐类嵌锂正极材料的制备方法。本发明制得的橄榄石型磷酸盐类嵌锂正极材料导电率高,高倍率性能好,而且比表面积低,具有良好的制浆与涂布加工性能。
搜索关键词: 表面积 纳米 磷酸 盐类 正极 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种低比表面积碳纳米管磷酸盐类嵌锂正极材料,其特征在于,该正极材料由以下重量百分比的组分组成:磷酸盐嵌锂化合物94‑99.8%,碳0.2‑6%;所述磷酸盐嵌锂化合物化学式为LiMxNyPO4,M为Fe,Co,Mn,Ni,Cr,V,Nb,Mg,Zn,Cu,Ti,W中的一种,N为Fe,Co,Mn,Ni,Cr,V,Nb,Mg,Zn,Cu,Ti,W中的一种,且1=x+y,x=0~1。
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