[发明专利]一种用于铜互连的化学机械抛光液及工艺无效
| 申请号： | 201210584552.2 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103898510A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 荆建芬;张建;蔡鑫元;姚颖;陈宝明;周文婷 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23F3/04 | 分类号： | C23F3/04;C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种用于铜互连抛光的工艺方法，包括以下步骤：步骤A：用铜化学机械抛光液去除铜并停在阻挡层表面；步骤B：用阻挡层化学机械抛光液去除阻挡层和部分二氧化硅覆盖层(Cap layer)；步骤C：用介电材料抛光液去除部分二氧化硅覆盖层、部分低介电材料和部分铜。该抛光方法通过改变抛光工艺流程(1步去除铜+2步去除阻挡层/介电层)，产能得到提高，同时铜抛光后的碟形凹陷小且无金属残留。通过在第二步抛光时使用一种低研磨颗粒含量，高的钽去除速率的抛光液，可降低抛光液生产成本，本发明包括了铜抛光液、阻挡层抛光液和低介电材料抛光液在不同抛光盘上的供给选择以及在不同抛光步骤的工艺整合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 互连 化学 机械抛光 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于铜互连抛光的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：用铜化学机械抛光液去除铜并停在阻挡层表面；步骤B：用阻挡层化学机械抛光液去除阻挡层和部分二氧化硅覆盖层(Caplayer)；步骤C：用介电材料抛光液去除部分二氧化硅覆盖层、低介电材料和部分铜。
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