[发明专利]一种新型磁极结构无效
| 申请号： | 201210584960.8 | 申请日： | 2012-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103066712A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 周智庆;龙庆文;何嘉颖 | 申请（专利权）人： | 周智庆 |
| 主分类号： | H02K1/08 | 分类号： | H02K1/08;H02K3/18;H02K1/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510220 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种新型磁极结构，其可降低永磁体涡流损耗、增加励磁永磁体寿命、提高效率及能量密度、提高容错运行和负载能力以及降低扭矩波动；该新型磁极结构包括：磁极铁芯、电枢绕组、永磁体和/或励磁绕组，磁极铁芯为凸极结构，凸极中有一个变磁阻气隙结构，包括调磁气隙段和励磁气隙段，永磁体内嵌于励磁气隙段中，调磁气隙段置空或内置励磁集中绕组。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 磁极 结构 | ||
【主权项】：
一种新型磁极结构，其特征在于，包括：磁极铁芯、电枢绕组、永磁体和/或励磁绕组，所述的磁极铁芯为凸极结构，其特征在于，该凸极结构中有一个宽度沿凸极方向变化的气隙，该气隙贯穿整个凸极，该气隙分为励磁气隙和调磁气隙，调磁气隙的宽度比励磁气隙的宽度小，励磁气隙中内置永磁体或者置空，永磁体沿与凸极方向垂直的方向充磁，调磁气隙中置空或者内嵌所述的励磁绕组。
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