[发明专利]一种提高反发射薄膜与钼栅网基底结合力的方法有效
| 申请号： | 201210585107.8 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103898440A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 吕琴丽;李弢;杨明华;郜健 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/16;C23C14/34;H01J9/14 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘茵 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提高反发射薄膜与钼栅网基底结合力的方法，包括以下步骤：A.将加工好的钼栅网进行真空除气，温度为800±20℃；B.采用离子束辅助沉积法在上述Mo栅网上沉积一层反发射薄膜；C.对所制成的栅网进行退火处理，退火温度为1000～1300℃。本发明利用离子束辅助沉积法在钼栅网基底上沉积反发射薄膜，通过离子束轰击基底表面，提高基底表面粗糙度，从而使得反发射薄膜与钼栅网基底结合力增加，再结合后续高温退火处理，使得反发射薄膜和钼基底间形成合金相，进一步提高了反发射薄膜与钼栅网基底结合力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 发射 薄膜 钼栅网 基底 结合 方法 | ||
【主权项】：
一种提高反发射薄膜与钼栅网基底结合力的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：A.将加工好的钼栅网进行真空除气，温度为800±20℃；B.采用离子束辅助沉积法在上述Mo栅网上沉积一层反发射薄膜；C.对所制成的栅网进行退火处理，退火温度为1000～1300℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京有色金属研究总院，未经北京有色金属研究总院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210585107.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
