[发明专利]一种化学机械抛光方法在审
| 申请号： | 201210585149.1 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103894918A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 荆建芬;姚颖;王雨春;王文龙 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于TSV硅通孔化学机械抛光的工艺方法，包括以下步骤：步骤A：用铜抛光液去除铜覆盖层并对表面进行平坦化，步骤B：用阻挡层抛光液去除钽阻挡层和部分介电层并对表面进行平坦化，步骤C：用介电层化学机械抛光液去除介电层并保留氮化硅层。通过改变抛光工艺流程，产能得到提高，同时介电层抛光后能停在氮化硅停止层上，能较好的控制抛光过程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种用于TSV硅通孔化学机械抛光的工艺方法，包括以下步骤：步骤A：用铜抛光液去除铜覆盖层并对表面进行平坦化，步骤B：用阻挡层抛光液去除钽阻挡层和部分介电层并对表面进行平坦化，步骤C：用介电层化学机械抛光液去除介电层并停留在氮化硅层。
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