[发明专利]多路静电释放保护器件的加工方法有效
申请号: | 201210585611.8 | 申请日: | 2012-12-30 |
公开(公告)号: | CN103107127A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 黄冕 | 申请(专利权)人: | 深圳中科系统集成技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 唐华明 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明实施例公开了多路ESD保护器件的加工方法。一种多路ESD保护器件的加工方法包括在第一基材上加工出N个通孔,第一基材包括第一导电层、第二导电层和位于第一导电层和第二导电层之间的第一绝缘层;在N个通孔内填充导电物质;在第二导电层上进行图形加工;在第一导电层上进行图形加工和/或在第一导电层上加工出贯穿至第一绝缘层的盲槽,在第一导电层上设置第一树脂层;在第一树脂层上设置保护层;在保护层上加工出贯穿至第一绝缘层的N/2个盲孔;在N/2个盲孔内填充浆料;将保护层从第一树脂层上剥离;在第一树脂层上设置保护上体。本发明实施例方案有利于降低ESD保护器件的制作成本、提高ESD保护器件的安全性。 | ||
搜索关键词: | 静电 释放 保护 器件 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种多路静电释放ESD保护器件的加工方法,其特征在于,包括:在第一基材上加工出N个通孔,其中,所述N大于2的偶数,所述第一基材包括第一导电层、第二导电层和位于所述第一导电层和所述第二导电层之间的第一绝缘层;通过电镀和/或化学镀在所述N个通孔内填充导电物质;在所述第二导电层上进行图形加工,以将所述第二导电层分割为互不导通的N个导电区域;在所述第一导电层上进行图形加工和/或在所述第一导电层上加工出贯穿至所述第一绝缘层的盲槽,以将所述第一导电层分割为互不导通的N个导电区域,其中,所述第一导电层的N个导电区域中的每个导电区域,分别通过所述N个通孔中的不同通孔内的导电物质,与所述第二导电层的N个导电区域中的不同导电区域导通;在所述第一导电层上设置第一树脂层;在所述第一树脂层上设置保护层;在所述保护层上加工出贯穿至所述第一绝缘层的N/2个盲孔;在所述N/2个盲孔内填充浆料,其中,所述第一导电层的N个导电区域包括N/2个第二类导电区域和N/2个第一类导电区域,所述N/2个第一类导电区域中的每个第一类导电区域,分别通过所述N/2个盲孔中的不同盲孔内的浆料与所述N/2个第二类导电区域中的不同第二类导电区域相接,其中,所述浆料含有导电粒子和非导电粒子;将所述保护层从所述第一树脂层上剥离;在所述第一树脂层上设置保护上体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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