[发明专利]一种激光退火装置及方法有效
申请号: | 201210586819.1 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103903967A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 徐建旭;兰艳平 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;B23K26/06 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种激光退火装置包括:激光退火单元,用于对所述加工对象进行激光退火;反射率检测单元,用于检测与分析所述加工对象的表面状态;工件台,用于放置一加工对象;其中,所述激光退火单元包括:激光器、扩束系统、匀光系统、分光系统、聚焦系统。本发明不需要外加探测光源,直接把激光的透射光作为参考光,将加工对象表面的反射光与透射光作对比,随加工时间变化,得出不同的反射光与透射光的比率,进而推算出加工对象表面的反射率变化,进而得到加工对象的表面状态,当加工对象的表面状态为液态时,表示激光退火完成。 | ||
搜索关键词: | 一种 激光 退火 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种激光退火装置,其特征在于,包括:激光退火单元,用于对所述加工对象进行激光退火;反射率检测单元,用于检测与分析所述加工对象的表面状态;工件台,用于放置一加工对象;其中,所述激光退火单元包括:激光器,用于射出激光;扩束系统,用于对所述激光器射出的激光进行扩束;匀光系统,用于对所述扩束系统扩束的激光进行匀光;分光系统,用于对经所述匀光系统匀光的激光进行第一分光;其中,所述分光系统将所述激光器射出的99%的激光分出作为第一反射光,并将所述激光器射出的其余1%的激光分出作为透射光;聚焦系统,用于对所述分光系统分出的第一反射光进行聚焦。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造