[发明专利]一种TSV硅片的真空吸盘有效
申请号: | 201210586865.1 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103904012B | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 黄明;郑教增;胡松立;王邵玉;阮冬;姜晓玉 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅,李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于半导体光刻制造技术领域,涉及TSV硅片的移动装置,具体涉及TSV硅片的真空吸盘。所述真空吸盘包括吸盘底座、设置吸盘底座上部的吸附层、设置在吸盘底座内部的真空室和阵列排布在吸附层上与真空室相通的吸附孔群,所述吸附层包括中间芯部和环绕芯部的环形层,所述环形层包括嵌套设置的至少一个环状弹性吸附层和至少一个环状刚性吸附层。本发明提供的吸盘采用弹性吸附层和由内至外变化的吸附面积,将点吸附变为了面吸附,增加了TVS硅片的吸附牢固度。为了防止TVS硅片因弹性吸附层的形变造成翘曲,采用刚性吸附层和弹性吸附层环状交替布局且设置高度差的方式来设计吸附面,使得吸附时依旧可以保持TSV硅片的平面度。 | ||
搜索关键词: | 一种 tsv 硅片 真空 吸盘 | ||
【主权项】:
一种真空吸盘,其包括吸盘底座、设置吸盘底座上部的吸附层、设置在吸盘底座内部的真空室和阵列排布在吸附层上与真空室相通的吸附孔群,其特征在于,所述吸附层包括中间芯部和环绕芯部的环形层,所述环形层包括嵌套设置的至少一个环状弹性吸附层和至少一个环状刚性吸附层;所述吸附孔群包括芯部吸附孔群和环形层吸附孔群,环形层吸附孔群中的吸附孔按矩阵划分,同行的吸附孔均匀分布在一个弹性吸附层或一个刚性吸附层的圆周上,同列的吸附孔沿通过圆心向外的一个辐射线分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造