[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210586984.7 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103311124A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡济印;黄耀聪;柯志欣;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种制造半导体器件的方法包括在工件中形成沟道区，以及接近沟道区形成源极或者漏极区。源极或者漏极区包括接触电阻降低材料层，其包含SiP、SiAs或者硅化物。源极或者漏极区还包括沟道应力材料层，其包含SiCP或者SiCAs。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在工件中形成沟道区；以及接近所述沟道区形成源极或者漏极区，其中，所述源极或者漏极区包括接触电阻降低材料层，所述接触电阻降低材料层包含SiP、SiAs或者硅化物，并且其中，所述源极或者漏极区包括沟道应力材料层，所述沟道应力材料层包含SiCP或者SiCAs。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
