[发明专利]一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法有效
| 申请号： | 201210587242.6 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103014847A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;郭庆磊;张苗;叶林;薛忠营;陈龙;王刚;高晓强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/08;C30B33/08 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法，该方法包括以下步骤：提供一GeOI衬底；在该GeOI衬底的顶层锗上外延InxGa1-xAs层，其中，所述InxGa1-xAs层厚度不超过InxGa1-xAs/GeOI 结合体的临界厚度，x的取值范围为0～1；在该InxGa1-xAs层上外延Ge纳米薄膜层，形成Ge/InxGa1-xAs/GeOI 结合体；所述Ge纳米薄膜的厚度与所述GeOI衬底中顶层锗的厚度相等；且不超过Ge/InxGa1-xAs/GeOI结合体的临界厚度；利用光刻以及RIE技术将Ge/InxGa1-xAs/GeOI 结合体进行图形化并得到腐蚀窗口；湿法腐蚀，直至所述埋氧层被腐蚀完全，其余 Ge/InxGa1-xAs/Ge结合体与所述底层硅脱离。本发明所制备的张应变锗具有较低的位错密度，较高的单晶质量；通过该种方法所制备的张应变Ge薄膜具有应变大小任意可调的特点；制备的Ge薄膜应变大，迁移率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 高单晶 质量 应变 纳米 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：提供一GeOI衬底；其包括底层硅、位于该底层硅上的埋氧层以及位于该埋氧层上的顶层锗；在该GeOI衬底的顶层锗上外延InxGa1‑xAs层，形成InxGa1‑xAs/GeOI 结合体，其中，所述InxGa1‑xAs层厚度不超过InxGa1‑xAs/GeOI 结合体的临界厚度，x的取值范围为0～1；在该InxGa1‑xAs层上外延Ge纳米薄膜层，形成Ge/InxGa1‑xAs/GeOI 结合体；所述Ge纳米薄膜的厚度与所述GeOI衬底中顶层锗的厚度相等；且不超过Ge/InxGa1‑xAs/GeOI结合体的临界厚度；利用光刻以及RIE技术将Ge/InxGa1‑xAs/GeOI 结合体进行图形化并得到腐蚀窗口；湿法腐蚀，直至所述埋氧层被腐蚀完全，其余 Ge/InxGa1‑xAs/Ge结合体与所述底层硅脱离。
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