[发明专利]一种真空吸附装置及吸附测校方法有效
申请号: | 201210587442.1 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103904013A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 徐伟;郑教增 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供的一种真空吸附装置及吸附测校方法,所述真空吸附装置的盘体上具有分散排列的真空槽,能够极大的提高硅片和真空吸附装置之间的吸附性,避免了由于硅片不平整而导致真空槽漏气,从而避免了现有技术对硅片的吸附性差的问题,同时该吸附测校方法使得在实际生产中至少3点能够吸牢,从而保证了吸附的可靠性,且根据各个传感器的值,能够自动识别硅片的翘曲程度。 | ||
搜索关键词: | 一种 真空 吸附 装置 校方 | ||
【主权项】:
一种真空吸附装置,其特征在于,包括:吸盘盘体,用于承载硅片;多个真空槽,所述真空槽分散排列在所述盘体上;真空通道,包括与真空源连接的总管道及由所述总管道引出的多个支路,每个所述支路分别与所述真空槽连通;多个电磁阀,每个所述电磁阀位于所述支路上并控制是否对所在支路上的真空槽提供真空;及多个传感器,每个所述传感器位于所述总管道和每个支路上并用于获取真空值,所述真空槽具有如下排列规律:所述盘体划分为多个同心圆和一个“米”字形坐标,所述同心圆和“米”字形坐标具有多个交点,且所述同心圆圆心和“米”字形坐标原点重合,以圆心为起点,逆时针或顺时针依次连接其余同心圆上的所述交点,得到两条螺旋线,所述真空槽位于所述螺旋线与“米”字形坐标的交点处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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