[发明专利]具有高迁移率和高能带隙材料的半导体结构及方法有效
| 申请号： | 201210587506.8 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103311296A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 吴政宪;柯志欣;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/12;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明一种实施例的结构包括衬底、高能带隙材料以及高载流子迁移率材料。衬底包括第一隔离区以及第二隔离区。第一隔离区和第二隔离区中的每一个都延伸至所述第一和第二隔离区之间的衬底的第一表面之下。高能带隙材料在衬底的第一表面上方并且设置在第一和第二隔离区之间。高载流子迁移率材料在高能带隙材料上方。高载流子迁移率材料延伸得高于第一和第二隔离区的相应顶面从而形成鳍状件。本发明还公开了具有高迁移率和高能带隙材料的半导体结构及方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 迁移率 能带 材料 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种结构，包括：包括第一隔离区和第二隔离区的衬底，所述第一隔离区和所述第二隔离区中的每一个都延伸到所述第一隔离区和所述第二隔离区之间的所述衬底的第一表面之下；所述衬底的所述第一表面上方的高能带隙材料，所述高能带隙材料设置在所述第一隔离区和所述第二隔离区之间；以及在所述高能带隙材料上方的高载流子迁移率材料，所述高载流子迁移率材料延伸得高于所述第一隔离区和所述第二隔离区的相应顶面，从而形成鳍状件。
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