[发明专利]LED芯片及制造方法有效
| 申请号： | 201210587583.3 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103066181A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 崔成强;梁润园;韦嘉;袁长安 | 申请（专利权）人： | 北京半导体照明科技促进中心 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/44;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;刘华联 |
| 地址： | 100080 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的一方面提出了一种LED芯片，包括：台阶状的堆叠，位于堆叠之上的钝化层；形成于钝化层中的处于相应于第一台阶面的区域内的P型电极；以及形成于钝化层中的处于相应于第二台阶面的区域内的N型电极，其中，P型电极的面积与N型电极的面积之比或N型电极的面积与P型电极的面积之比处于0.7-1.2的范围内。本发明还提出了改进的两种LED芯片和两种制作LED芯片的方法。根据本发明的LED芯片和制造方法，解决了现有技术中的LED芯片在SMT技术的应用中容易产生虚焊、偏位、短路等不足。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，包括：台阶状的堆叠，包括位于最底部的基底、相邻地位于所述基底之上的N型材料层、相邻地位于所述N型材料层之上的发光层，以及相邻地位于所述发光层之上的P型材料层，其中所述P型材料层位于所述堆叠的第一台阶面上，所述N型材料层的外侧部分位于所述堆叠的第二台阶面上，所述第一台阶面高于所述第二台阶面；位于所述堆叠之上的钝化层；形成于所述钝化层中的处于相应于所述第一台阶面的区域内的P型电极；以及形成于所述钝化层中的处于相应于所述第二台阶面的区域内的N型电极，其特征在于，所述P型电极的面积与所述N型电极的面积之比或所述N型电极的面积与所述P型电极的面积之比处于0.7‑1.2的范围内，优选为1。
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