[发明专利]一种溅射用铜镓合金靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 201210587591.8 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103225066A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 张云峰;秦兴东;王丹妮;王连蒙;刘延红;陈东;郭志峰;陈丽杰 | 申请（专利权）人： | 中国神华能源股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C9/00;C22C28/00;C22C30/02;C22C1/02;B22D27/04 |
| 代理公司： | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 11012 | 代理人： | 王昭林;鲁云博 |
| 地址： | 100011 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种溅射用铜镓合金靶材，其中，铜的质量百分比含量为38.0~68.0%，镓的质量百分比含量为32.0~62.0%。本发明还提供上述溅射用铜镓合金靶材的制备方法，其包括以下步骤：（1）配料；（2）冶炼；（3）定向凝固；（4）切割；（5）热处理。本发明的溅射用铜镓合金靶材解决了铜铟镓前驱薄膜中镓的配比问题和溅射过程中由于靶材缺陷导致的电弧放电问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溅射 用铜镓 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射用铜镓合金靶材，其特征在于，铜的质量百分比含量为38.0~68.0%，镓的质量百分比含量为32.0~62.0%。
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