[发明专利]电流传感器无效
| 申请号： | 201210587622.X | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103185828A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 宫腰高明;柏木孝夫;平野裕幸;福冈诚二 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种减少磁屏蔽用的磁性体的磁滞所引起的母线非通电时（0安培时）的测量误差的发生并谋求测量精度的提高的电流传感器。该电流传感器具备彼此相对的磁屏蔽用的第1和第2磁性体（30A,30B）、以及配置在磁性体（30A,30B）间的母线（10）和霍尔IC（20），当电流流到母线（10）时，相对的磁性体（30A,30B）以彼此相反的方向磁化，在由通过磁性体（30A）被磁化而产生的磁场以及通过磁性体（30B）被磁化而产生的磁场而使施加于霍尔IC（20）的磁场变弱的位置，配置霍尔IC（20）。 | ||
| 搜索关键词： | 电流传感器 | ||
【主权项】：
一种电流传感器，其特征在于，具备：彼此相对的磁屏蔽用的第1和第2磁性体；以及母线和磁敏元件，配置在所述第1和第2磁性体之间，当电流流到所述母线时，相对的所述第1和第2磁性体以彼此相反的方向磁化，在由通过所述第1磁性体被磁化而产生的磁场以及通过所述第2磁性体被磁化而产生的磁场而使施加于所述磁敏元件的磁场变弱的位置，配置所述磁敏元件。
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