[发明专利]非晶硅栅极驱动器有效
申请号: | 201210587910.5 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103295543A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 曹兆铿;陶承锋 | 申请(专利权)人: | 上海中航光电子有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;H01L29/417;H01L23/50;H01L27/088 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种非晶硅栅极驱动器,每个薄膜晶体管均通过源极连接线和/或漏极连接线实现与其余的一个或者多个薄膜晶体管电性连接,其中,所述源极连接线与所述源极电性连接,所述源极连接线与所述源极位于不同的膜层;所述漏极连接线与所述漏极电性连接,所述漏极连接线与所述漏极位于不同的膜层,由此能够避免源极及源极连接线交界处下残留有非晶硅层;漏极及漏极连接线交界处下残留有非晶硅层,从而避免了非晶硅栅极驱动器源极和漏极之间漏电流大、非晶硅栅极驱动器极易失效的问题,提高了非晶硅栅极驱动器的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 非晶硅 栅极 驱动器 | ||
【主权项】:
一种非晶硅栅极驱动器,所述非晶硅栅极驱动器形成于阵列基板上,所述非晶硅栅极驱动器包括:多个薄膜晶体管;每个所述薄膜晶体管均包括栅极、位于所述栅极之上的非晶硅层及位于所述非晶硅层之上的源极和漏极,所述源极和漏极在所述阵列基板上的正投影均位于所述栅极在所述阵列基板上的正投影内;其特征在于,每个所述薄膜晶体管还包括:源极连接线,所述源极连接线与所述源极电性连接,所述源极连接线与所述源极位于不同的膜层;和/或漏极连接线,所述漏极连接线与所述漏极电性连接,所述漏极连接线与所述漏极位于不同的膜层;其中,每个薄膜晶体管均通过所述源极连接线和/或漏极连接线实现与其余的一个或者多个薄膜晶体管电性连接。
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