[发明专利]一种采用回收法制取二氯二氢硅的制备方法无效
申请号: | 201210589185.5 | 申请日: | 2012-12-31 |
公开(公告)号: | CN103896278A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 李中元 | 申请(专利权)人: | 天津市泰亨气体有限公司 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人: | 朱红星 |
地址: | 300385 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了采用回收法制取二氯二氢硅。所需设备主要有:精馏塔,吸附塔,储罐,制冷系统,充装台,真空机组,尾气吸收塔等。多晶硅是用三氯硅烷加氢还原制得的,在此过程中产生约1%的二氯二氢硅。未反应的三氯硅烷,通过逐级冷凝、精馏来回收,可得到高浓度二氯二氢硅。本工艺可同时回收二氯二氢硅和三氯氢硅,三氯氢硅也是一种重要的硅外延材料,在半导体工业中用量比二氯二氢硅大。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 回收 法制 取二氯二氢硅 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种采用回收法制取二氯二氢硅的制备方法,其特征在于所需设备主要有:精馏塔,吸附塔,储罐,制冷系统,充装台,真空机组,尾气吸收塔等,多晶硅是用三氯硅烷加氢还原制得的,在此过程中产生约1%的二氯二氢硅,未反应的三氯硅烷,通过逐级冷凝、精馏来回收,可得到高浓度二氯二氢硅,以多晶硅生产副产物作为原料进行提纯,其组成如下:SiH2Cl2:~20%;SiHCl3:~65%;SiCl4:~15%;HCl:~1%B>5×10‑9;Fe>300×10‑9;Al>5×10‑9;C>500×10‑9;P>2×10‑9;其余为空气;基于原料中同系物相对挥发度相差较大,可采取精馏方法将同系物进行分离,其他杂质与二氯二氢硅相对挥发度接近,用精馏法难以除去,可选取物理或化学吸附方法进行分离。
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