[发明专利]焦平面探测器铟柱的光刻方法及装置有效
申请号: | 201210589625.7 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103078003A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 张敏;诸子玲;孙浩;钱亚男 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;G03F7/00 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 吴永亮 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种焦平面探测器铟柱的光刻方法及装置,该方法包括:在金属化处理后的探测器芯片上涂覆光刻胶;将涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行烘烤;将烘烤完的所述探测器芯片进行离焦光刻,得到显影后呈倒梯形的厚胶图形;将离焦光刻后的探测器芯片进行低温烘烤。该装置包括:涂胶机、烘烤箱和光刻机。本发明通过对涂覆完光刻胶的探测器芯片进行整体烘烤之后,再对探测器芯片进行表面烘烤,使得探测器芯片上的光刻胶产生内外温差,然后结合非接触光刻方式的离焦光刻,产生显影后呈倒梯形的厚胶图形,该倒梯形的厚胶图形侧壁与铟的接触面积小,后续用丙酮溶解光刻胶时,光刻胶表面上的铟更容易脱落,从而得到均匀的铟柱形貌。 | ||
搜索关键词: | 平面 探测器 光刻 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种焦平面探测器铟柱的光刻方法,其特征在于,包括:在金属化处理后的探测器芯片上涂覆光刻胶;将涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行烘烤;将烘烤完的所述探测器芯片进行离焦光刻,得到显影后呈倒梯形的厚胶图形;将离焦光刻后的探测器芯片进行低温烘烤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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