[发明专利]焦平面探测器铟柱的光刻方法及装置有效

专利信息
申请号: 201210589625.7 申请日: 2012-12-28
公开(公告)号: CN103078003A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 张敏;诸子玲;孙浩;钱亚男 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十一研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;G03F7/00
代理公司: 工业和信息化部电子专利中心 11010 代理人: 吴永亮
地址: 100015*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种焦平面探测器铟柱的光刻方法及装置,该方法包括:在金属化处理后的探测器芯片上涂覆光刻胶;将涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行烘烤;将烘烤完的所述探测器芯片进行离焦光刻,得到显影后呈倒梯形的厚胶图形;将离焦光刻后的探测器芯片进行低温烘烤。该装置包括:涂胶机、烘烤箱和光刻机。本发明通过对涂覆完光刻胶的探测器芯片进行整体烘烤之后,再对探测器芯片进行表面烘烤,使得探测器芯片上的光刻胶产生内外温差,然后结合非接触光刻方式的离焦光刻,产生显影后呈倒梯形的厚胶图形,该倒梯形的厚胶图形侧壁与铟的接触面积小,后续用丙酮溶解光刻胶时,光刻胶表面上的铟更容易脱落,从而得到均匀的铟柱形貌。
搜索关键词: 平面 探测器 光刻 方法 装置
【主权项】:
一种焦平面探测器铟柱的光刻方法,其特征在于,包括:在金属化处理后的探测器芯片上涂覆光刻胶;将涂覆完光刻胶的所述探测器芯片进行烘烤;将烘烤完的所述探测器芯片进行离焦光刻,得到显影后呈倒梯形的厚胶图形;将离焦光刻后的探测器芯片进行低温烘烤。
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