[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210589857.2 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103367419A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 西森理人;吉川俊英;今田忠纮 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件的一个实施方案包括：衬底；形成在衬底上的电子传输层；形成在电子传输层上的电子供给层；形成在电子供给层上的源电极和漏电极；形成在电子供给层上的在源电极和漏电极之间的栅电极；形成在电子供给层和栅电极之间的p型化合物半导体层；以及形成在电子供给层和p型化合物半导体层之间的包含n型杂质的化合物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体器件，包括：衬底；形成在所述衬底之上的电子传输层；形成在所述电子传输层之上的电子供给层；形成在所述电子供给层之上的源电极和漏电极；形成在所述电子供给层之上、在所述源电极和所述漏电极之间的栅电极；形成在所述电子供给层和所述栅电极之间的p型化合物半导体层；以及形成在所述电子供给层和所述p型化合物半导体层之间的包含n型杂质的化合物半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社，未经富士通株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210589857.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：组织苗、组织芽种子组合膜及铺膜机
- 下一篇：任播重定向为单播内容下载
- 同类专利
- 专利分类
