[发明专利]一种氧传感器芯片上被覆多孔陶瓷材料保护层的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210589877.X 申请日: 2012-12-29
公开(公告)号: CN103901074A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 龚斌;冯涛;刘革命;夏金峰 申请(专利权)人: 赣州虔东稀土集团股份有限公司;中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: G01N27/00 分类号: G01N27/00;C04B38/00;C04B35/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 341000 江西*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明涉及一种在氧传感器芯片上被覆多孔陶瓷保护层的新方法及其产品。本发明以铝化合物和炭素材料为原料,将铝化合物和炭素材料分散在有机溶剂中,其中,铝化合物和炭素材料总重量与有机溶剂的重量比1:2~0.8;再将获得的浆料涂覆在被有测氧材料的氧传感器芯片表面;再将制备好的氧传感器芯片置于75~95℃干燥12~24小时;最后将干燥的氧传感器取出,以烧结温度为1350℃~1600℃,烧结时间为1~4h烧结。被覆保护层的氧传感器芯片上保护层(1)和基体(3)及测氧材料(2)之间有较好粘结强度和热匹配。有效延长氧传感器的使用寿命。本发明还提供一种被覆了表面保护层的氧传感器,可以在恶劣工况下长期工作。
搜索关键词: 一种 传感器 芯片 被覆 多孔 陶瓷材料 保护层 制备 方法
【主权项】:
一种氧传感器芯片上被覆多孔陶瓷的方法,所述氧传感器芯片上被覆多孔陶瓷材料的方法以铝化合物与炭素材料为原料,其特征在于包括如下步骤:(1)将铝化合物与炭素材料分散在有机溶剂中制备浆料;(2)将步骤(1)获得的浆料覆盖在被覆有测氧材料的氧传感器芯片的测氧材料表面;(3)将步骤(2)制备的氧传感器芯片干燥;(4)将干燥后的氧传感器芯片烧结。
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