[发明专利]一种多铁性单晶纳米带及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210590577.3 申请日: 2012-12-31
公开(公告)号: CN103014862A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 董思宁;姚一平;刘愉快;陆亚林;李晓光 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B7/14
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 纪晓峰
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及一种由多铁性纳米带材料形成的多铁性单晶纳米带及其制备方法。本发明的多铁性纳米带材料的化学式为Bi4.2K0.8Fe2O9.7,由其制成的多铁性单晶纳米带以<100>为生长方向,以<010>为纳米带宽度方向,以<001>为纳米带的厚度方向,并且具有一个公度的调制结构,其平均结构同构于高温超导体Bi2Sr2CaCu2O8。本发明的Bi4.2K0.8Fe2O9.7单晶纳米带可用于制备多铁性纳米器件。
搜索关键词: 一种 多铁性单晶 纳米 及其 制备 方法
【主权项】:
一种多铁性材料,其特征在于其化学式为Bi4.2K0.8Fe2O9.7。
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