[发明专利]SIW电桥无效
| 申请号： | 201210590709.2 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103094656A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 汪晓光;郭田田;陈良;邓龙江;谢建良;梁迪飞 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P5/16 | 分类号： | H01P5/16 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | SIW电桥，涉及微波器件。本发明由介质基板和介质基板上的金属通孔构成，包括第一端口、第二端口和第三端口，隔离带作为第二端口的下壁和第三端口的上壁，第一端口上壁与第二端口上壁由第一斜边连接，第一端口下壁与第三端口下壁由第二斜边连接，三个端口为轴对称，隔离带处于对称轴上，第一斜边51与对称轴夹角为45°，第二斜边与对称轴夹角为45°，各端口的各壁皆由金属通孔排列构成，第一端口上壁、第一端口下壁、第二端口上壁和第三端口下壁平行于对称轴。本发明的电桥具有微波频带（40GHz～56GHz）内的高隔离性能，低的插入损耗和端口驻波。 | ||
| 搜索关键词： | siw 电桥 | ||
【主权项】：
SIW电桥，其特征在于，由介质基板和介质基板上的金属通孔构成，包括第一端口[A1]、第二端口[A2]和第三端口[A3]，隔离带[A4]作为第二端口[A2]的下壁和第三端口[A3]的上壁，第一端口上壁[A11]与第二端口上壁[A21]由第一斜边[A51]连接，第一端口下壁[A12]与第三端口下壁[A22]由第二斜边[A52]连接，三个端口为轴对称，隔离带[A4]处于对称轴上，第一斜边[A51]与对称轴夹角为45°，第二斜边[A52]与对称轴夹角为45°，各端口的各壁皆由金属通孔排列构成，第一端口上壁、第一端口下壁、第二端口上壁和第三端口下壁平行于对称轴。
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