[发明专利]一种快速瞬态响应的数字功率因数校正控制器有效

专利信息
申请号: 201210590904.5 申请日: 2012-12-29
公开(公告)号: CN103078488A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 徐申;杨淼;陆炎;孙锋锋;宋慧滨;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H02M1/42 分类号: H02M1/42
代理公司: 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人: 汤志武
地址: 210096*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种快速瞬态响应的数字功率因数校正控制器,包括Boost型开关变换器功率级主拓扑结构、A/D采样转换器、PID控制器、限流单元,数字脉冲宽度调制器和驱动单元,其特征是增设快速响应回路,其输入端连接关变换器的输出电压,输出端连接数字脉冲宽度调制器的输出端;快速响应回路包括选频网络、误差放大器和输出级,选频网络的输入端连接关变换器的输出电压,选频网络的输出端连接误差放大器,误差放大器的输出端连接输出级的输入端,输出级的输出端连接数字脉冲宽度调制器的输出端。
搜索关键词: 一种 快速 瞬态 响应 数字 功率因数 校正 控制器
【主权项】:
一种快速瞬态响应的数字功率因数校正控制器,包括整流桥Br、Boost型开关变换器功率级主拓扑结构、A/D采样转换器、PID控制器、含有与非门、比较器和电流检测电阻的限流比较单元、数字脉冲宽度调制器和驱动单元,A/D转换器采样开关变换器的输出电压并将其转化为数字量送入PID控制器,PID控制器根据开关变换器的输出电压值与基准电压值的差异执行PID控制算法,计算得出二进制占空比d,数字脉冲宽度调制器将二进制占空比转换为实际模拟量占空比,与限流比较单元一起控制驱动单元,驱动单元输出控制主拓扑结构中场效应管的打开和关闭的时间,控制主拓扑结构中电感电流流向,保证开关变换器输出电压稳定在一个固定值上;其特征在于:增设快速瞬态响应回路,其输入端检测开关变换器的输出电压,输出端连接数字脉冲宽度调制器的输出端;快速瞬态响应回路包括选频网络、误差放大器和输出级,选频网络的输入端检测开关变换器的输出电压,选频网络的输出端连接误差放大器,误差放大器的输出端连接输出级的输入端,输出级的输出端连接数字脉冲宽度调制器的输出端,快速瞬态响应回路的具体结构及电路连接关系如下:选频网络包括一个电容Ct与一个电阻Rt的串联,电容Ct的另一端连接关变换器的输出电压Vf,电阻Rt的另一端连接偏置电压VB1;误差放大器采用折叠共源共栅结构,包括PMOS管M1~M7、NMOS管M8~M10共11个MOS管,PMOS管M2的栅极连接选频电路中电容C与电阻R的串接端,PMOS管M2和M3源极与PMOS管M1的漏极连接,PMOS管M1的栅极连接偏置电压VB4,PMOS管M3的栅极连接偏置电压VB1,PMOS管M2的漏极与NMOS管M8的源极及NMOS管M10的漏极连接,PMOS管M3的漏极与NMOS管M9的源极及NMOS管M11的漏极连接,NMOS管M10和M11的源极接地,NMOS管M10与M11的栅极互连并连接偏置电压VB3,NMOS管M8与M9的栅极互连并连接偏置电压VB2,NMOS管M8的漏极与PMOS管M6的漏极和栅极连接,NMOS管M9的漏极与PMOS管M7的漏极连接,PMOS管M6的栅极与M7的栅极互连,PMOS管M6的源极与PMOS管M4的漏极和栅极连接,PMOS管M7的源极与PMOS管M5的漏极,PMOS管M4的栅极与M5的栅极互连,PMOS管M4和M5的源极以及PMOS管M1的源极均连接电源VDD;输出级包括PMOS管M12及M13、NMOS管M14及M15,PMOS管M12的源极连接电源VDD,PMOS管M12的栅极和漏极连接PMOS管M13的源极,PMOS管M13的栅极与NMOS管M14的栅极互连并连接误差放大器中NMOS管M9的漏极和PMOS管M7的漏极,PMOS管M13的漏极与NMOS管M14的漏极互连,作为输出端与数字脉冲宽度调制器的输出端连接,NMOS管M14的源极与NMOS管M15的漏极和栅极连接,NMOS管M15的源极接地。
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