[发明专利]一种带状氧化银纳米阵列的制备方法有效
申请号: | 201210590905.X | 申请日: | 2012-12-29 |
公开(公告)号: | CN103058260A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 张小俊;季蓉;汪玲玲;于刘涛;马文勤;南红红 | 申请(专利权)人: | 安徽师范大学 |
主分类号: | C01G5/00 | 分类号: | C01G5/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 方南 |
地址: | 241000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种带状氧化银纳米阵列的制备方法,包括a、铜棒的清洗处理工序,b、带状氧化银纳米阵列的制备工序。本发明与现有技术相比,具有重现性高,操作简便,耗能低,可以直接用作电极来检测水合肼,也可以直接用作燃料电池。监测离子时响应稳定,合成成本低,适合于工业上大规模制备;所制备出的带状氧化银较均匀的覆盖在金属铜表面,且拥有较大的比表面积,作为传感器材料可以与待测物充分接触,使电催化反应充分、高效。 | ||
搜索关键词: | 一种 带状 氧化银 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种带状氧化银纳米阵列的制备方法,包括以下步骤:a、铜棒的清洗处理工序、 b、带状氧化银纳米阵列制备工序,其特征在于:所述的b、带状氧化银纳米阵列制备工序为在室温下将处理好的铜棒放入容器中,滴入一价银盐,再滴入碱溶液,将容器密闭,在常温下反应8‑12小时,用蒸馏水冲洗生长有黑色物质的铜棒,室温干燥,即可,所述的一价银盐的浓度为0.005‑0.01M,所述的碱液的浓度为0.1‑0.2M,一价银盐与碱液的摩尔比为1:(10‑40)。
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