[发明专利]低电源电压CMOS恒定电压源电路

摘要

本发明公开了一种低电源电压CMOS恒定电压源电路，包括第一级启动电路，第一级与电源电压无关但受温度影响的电流产生电路，第二级启动电路，第二级与电源电压无关但受温度影响的电流产生电路以及支路电流相减电路，利用支路电流相减电路的输出电流，通过负载电阻实现低温度系数的输出电压。本发明不含双极型器件，在低电源电压的环境下产生了具有低温度系数的参考电压。

主权项

一种低电源电压CMOS恒定电压源电路，包括第一级启动电路，第一级与电源电压无关但受温度影响的电流产生电路，第二级启动电路，第二级与电源电压无关但受温度影响的电流产生电路以及支路电流相减电路，所述支路电流相减电路用于将第一级与电源电压无关但受温度影响的电流与第二级与电源电压无关但受温度影响的电流相减；其中：第一级启动电路包括第一P型金属氧化物晶体管(P1)，第二P型金属氧化物晶体管(P2)，第一N型金属氧化物晶体管(N1)；第一级与电源电压无关但受温度影响的电流产生电路包括第三P型金属氧化物晶体管(P3)，第四P型金属氧化物晶体管(P4)，第二N型金属氧化物晶体管(N2)，第三N型金属氧化物晶体管(N3)，第一电阻(R1)，第七N型金属氧化物晶体管(N7)；第二级启动电路包括第五P型金属氧化物晶体管(P5)，第六P型金属氧化物晶体管(P6)，第四N型金属氧化物晶体管(N4)；第二级与电源电压无关但受温度影响的电流产生电路包括第七P型金属氧化物晶体管(P7)，第八P型金属氧化物晶体管(P8)，第九P型金属氧化物晶体管(P9)，第二电阻(R2)，第五N型金属氧化物晶体管(N5)，第六N型金属氧化物晶体管(N6)；支路电流相减电路包括第十P型金属氧化物晶体管(P10)，第十一P型金属氧化物晶体管(P11)，第十二P型金属氧化物晶体管(P12)，第十三P型金属氧化物晶体管(P13)，第八N型金属氧化物晶体管(N8)，第九N型金属氧化物晶体管(N9)，第三电阻(R3)，第四电阻(R4)；其中：第一P型金属氧化物晶体管(P1)的源极接电源，第一P型金属氧化物晶体管(P1)的栅极与第二P型金属氧化物晶体管(P2)的源极相连，第一P型金属氧化物晶体管(P1)的漏极与第一N型金属氧化物晶体管(N1)的漏极相连；第一N型金属氧化物晶体管(N1)的栅极和自身的漏极相连，并且和第二P型金属氧化物晶体管(P2)的栅极相连；第二P型金属氧化物晶体管(P2)的衬底和栅极分开，并接电源；第一N型金属氧化物晶体管(N1)的源极和第二P型金属氧化物晶体管(P2)的漏极接地；第三P型金属氧化物晶体管(P3)的源极和第四P型金属氧化物晶体管(P4)的源极接电源，第三P型金属氧化物晶体管(P3)的栅极和第四P型金属氧化物晶体管(P4)的栅极相连并和第三P型金属氧化物 晶体管(P3)的漏极相连；第三P型金属氧化物晶体管(P3)的漏极和第二N型金属氧化物晶体管(N2)漏极相连并和第一P型金属氧化物晶体管(P1)的栅极相连；第四P型金属氧化物晶体管(P4)的漏极和第三N型金属氧化物晶体管(N3)的漏极相连；第三N型金属氧化物晶体管(N3)漏极和本身的栅极相连；第二N型金属氧化物晶体管(N2)的衬底和源极分开并接地；第二N型金属氧化物晶体管(N2)的源极和第一电阻(R1)的一端相连；第一电阻(R1)的另一端和第三N型金属氧化物晶体管(N3)的源极相连并接地；第五P型金属氧化物晶体管(P5)的源极接电源，栅极和第六P型金属氧化物晶体管(P6)的源极相连，漏极和第四P型金属氧化物晶体管(P4)的漏极相连；第四N型金属氧化物晶体管(N4)的栅极和本身的漏极相连，并和第六P型金属氧化物晶体管(P6)的栅极相连；第六P型金属氧化物晶体管(P6)的衬底和源极分开并接电源；第六P型金属氧化物晶体管(P6)的漏极和第四N型金属氧化物晶体管(N4)的源极一同接地；第七P型金属氧化物晶体管(P7)的源极和第二电阻(R2)的一端相连，第二电阻(R2)的另一端和电源相连；第七P型金属氧化物晶体管(P7)的栅极和第八P型金属氧化物晶体管(P8)的栅极以及第九P型金属氧化物晶体管(P9)的栅极相连并和第八P型金属氧化物晶体管(P8)的漏极以及第五P型金属氧化物晶体管(P5)的栅极相连；第九P型金属氧化物晶体管(P9)的源极，漏极，衬底以及第八P型金属氧化物晶体管(P8)的源极都和电源相连；第五N型金属氧化物晶体管(N5)的栅极和本身的漏极相连，并和第六N型金属氧化物晶体管(N6)的栅极相连；第五N型金属氧化物晶体管(N5)的源极和第六N型金属氧化物晶体管(N6)的源极相连并接地；第十P型金属氧化物晶体管(P10)的栅极和第八P型金属氧化物晶体管(P8)的漏极相连，第十P型金属氧化物晶体管(P10)的源极接电源，漏极接第八N型金属氧化物晶体管(N8)的漏极；第八N型金属氧化物晶体管(N8)的栅极和第七N型金属氧化物晶体管(N7)的栅极以及第三N型金属氧化物晶体管(N3)的漏极相连；第八N型金属氧化物晶体管(N8)的源极和第七N型金属氧化物晶体管(N7)的源极、衬底、漏极都和地相连；第十一P型金属氧化物晶体管(P11)的栅极、漏极，第十二P型金属氧化物晶体管(P12)的栅极以及第十三P型金属氧化物晶体管(P13)的栅极相连；第十一P型金属氧化物晶体管(P11)的源极，第十二P型金属氧化物晶体管(P12)的源 极、漏极、衬底以及第十三P型金属氧化物晶体管(P13)的源极和电源相连；第十三P型金属氧化物晶体管(P13)的漏极和第三电阻(R3)一端相连，第三电阻(R3)的另一端和第四电阻(R4)的一端相连，第四电阻(R4)的另一端接地；第九N型金属氧化物晶体管(N9)的栅极连接在第三电阻(R3)和第四电阻(R4)的中间，第九N型金属氧化物晶体管(N9)的源极、衬底和漏极都接地。