[发明专利]一种新型绝缘硅复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201210591308.9 | 申请日： | 2012-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103035563A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 黄志强 | 申请（专利权）人： | 黄志强 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 | 代理人： | 张一鸣 |
| 地址： | 215100 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型绝缘硅复合材料及其制备方法，所述新型绝缘硅复合材料，包含中间绝缘层；所述中间绝缘层的上表面和下表面分别设置有单晶硅片；所述中间绝缘层，包含二氧化硅基多元无机复合材料层；所述二氧化硅基多元无机复合材料层的上表面设置有第一二氧化硅膜层；所述二氧化硅基多元无机复合材料层的下表面设置有第二二氧化硅膜层；本发明的新型绝缘硅复合材料能够保持有完整的单晶硅晶格结构，不需采用复杂昂贵设备，整体制备工艺简单、易行、低成本；所述新型绝缘硅复合材料及其制备方法能调节所述中间绝缘层的各组分的厚度和深度分布，不需采用复杂昂贵设备，整体制备工艺简单、易行，且制成的产品的电学性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 绝缘 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型绝缘硅复合材料，包含中间绝缘层；所述中间绝缘层的上表面和下表面分别设置有单晶硅片；其特征在于：所述中间绝缘层，包含二氧化硅基多元无机复合材料层；所述二氧化硅基多元无机复合材料层的上表面设置有第一二氧化硅膜层；所述二氧化硅基多元无机复合材料层的下表面设置有第二二氧化硅膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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