[发明专利]一种微纳尺度石墨烯自组装生长的方法有效
| 申请号： | 201210591644.3 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103014845A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 柴正;王东;宁静;韩砀;闫景东;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/02;C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体制备技术领域，提供了一种微纳尺度石墨烯自组装生长的方法，该方法在衬底上利用电子束蒸发形成过渡族金属薄膜，通过控制电子束蒸发过渡族金属的流量、温度、压强、时间因素以控制过渡族金属薄膜的厚度，利用金属薄膜的表面张力，在衬底上自然形成过渡族金属颗粒分布，继而在形成的过渡族金属颗粒分布阵列上通过化学气相沉积（CVD）形成微纳尺度的石墨烯；该方法采用过渡族金属自组装生长技术，石墨烯材料的晶格质量得到了有效地提高，同时与衬底形成了良好的接触，所制备的微纳尺度石墨烯材料可作为二次覆盖的籽晶及石墨烯器件的电极使用，实用性强，具有较强的推广与应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺度 石墨 组装 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种微纳尺度石墨烯自组装生长的方法，其特征在于，该方法在衬底上利用电子束蒸发形成过渡族金属薄膜，通过控制电子束蒸发过渡族金属的流量、温度、压强、时间因素以控制过渡族金属薄膜的厚度，利用金属薄膜的表面张力，在衬底上自然形成过渡族金属颗粒分布，继而在形成的过渡族金属颗粒分布阵列上通过化学气相沉积（CVD）形成微纳尺度的石墨烯。
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