[发明专利]中介层系统及方法有效
申请号: | 201210592167.2 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103579183B | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 余振华;郑心圃;侯上勇;叶德强 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/532 | 分类号: | H01L23/532;H01L23/488;H01L25/00;H01L21/768;H01L21/60 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于设置中介层的系统和方法。实施例包括在中介层晶圆上形成第一区域和第二区域,其中,该中介层在第一区域和第二区域之间具有划线区域。然而,第一区域和第二区域通过位于划线区域上方的电路相互连接。在另一个实施例中,第一区域和第二区域可以相互分离,然后在第一区域连接至第二区域之前,将第一区域和第二区域密封在一起。 | ||
搜索关键词: | 中介 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:中介层,具有第一侧和第二侧,所述中介层包括:第一区域,包括第一电路;第二区域,包括第二电路;和第三区域,位于所述第一区域和所述第二区域之间,所述第三区域没有电路并且从所述第一侧延伸到所述第二侧;以及导电路径,位于所述第一区域和所述第二区域之间,所述导电路径在所述第三区域上方延伸、并连接所述第一电路和所述第二电路;附接至所述第二侧上方的第一半导体管芯,所述第一半导体管芯位于部分第一区域和部分第二区域上方、且越过所述第三区域上方,所述第一半导体管芯连接于所述第一电路和所述第二电路;附接至所述第二侧上方的第二半导体管芯,所述第二半导体管芯连接于所述第二电路。
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