[发明专利]一种双极电路的制造方法有效
| 申请号： | 201210592589.X | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103021936A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张佼佼;李小锋;杨彦涛;肖金平;王铎 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种双极电路的制造方法，包括在提供的半导体衬底上淀积第一介质层，半导体衬底的外延层中形成有掺杂的深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离；将接触孔图形及电容窗口图形合并到同一掩膜版上进行刻蚀，在形成的各层次上的第一介质层中形成接触孔，同时在第二类掺杂区上的第一介质层中形成所需的电容窗口；生长二氧化硅层，去净选取的部分电容窗口中的二氧化硅层，再去除淀积的部分氮化硅层，以保留所需的电容窗口内的氮化硅层，形成不同电容。本发明能缩短发射区退火工艺生产时间，解决特殊电路高低压模块中对电容值及电容耐压的要求以及解决发射区与接触孔光刻对位精度对产品的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双极电路的制造方法，包括：在提供的半导体衬底上淀积第一介质层，所述半导体衬底的外延层中形成有掺杂的深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离；将接触孔图形及电容窗口图形合并到同一掩膜版上，以所述掩膜版为掩模进行刻蚀工艺，在所述深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离上的第一介质层中形成接触孔，并同时在所述第二类掺杂区上的第一介质层中形成所需的电容窗口；生长二氧化硅层，去净选取的部分所述电容窗口中的二氧化硅层后，淀积氮化硅层，采用干法刻蚀去除部分所述氮化硅层，以保留所需的电容窗口内的氮化硅层，形成不同电容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州士兰集成电路有限公司，未经杭州士兰集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210592589.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
