[发明专利]LDMOS及其形成方法有效
| 申请号： | 201210592622.9 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103915339A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 邓永平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS及其形成方法。在具有第一区域和第二区域的衬底上形成第一光阻层，所述第一光阻层包括光阻阵列，所述第一光阻层的光阻阵列覆盖所示第一区域并靠近所述第二区域，对所述衬底进行P阱离子注入；之后形成第二光阻层，所述第二光阻层包括光阻阵列，所述第二光阻层的光阻阵列覆盖所述第二区域并靠近所述第一区域，对所述衬底进行N阱离子注入。这能够有效的限制离子注入后的离子分布，使所形成的PN结为缓变结，这就使得BVDS可以增大。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；在所述衬底上形成第一光阻层，所述第一光阻层包括光阻阵列，所述第一光阻层的光阻阵列覆盖所述第一区域并靠近所述第二区域，暴露出所述第一区域的剩余部分；对所述衬底进行P阱离子注入；去除所述第一光阻层；在所述衬底上形成形成第二光阻层，所述第二光阻层包括光阻阵列，所述第二光阻层的光阻阵列覆盖所述第二区域并靠近所述第一区域，暴露出所述第二区域的剩余部分；对所述衬底进行N阱离子注入；去除所述第二光阻层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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