[发明专利]一种稀磁半导体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201210593000.8 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103911660B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 赵侃;邓正;靳常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/10 | 分类号： | C30B29/10;H01F1/01 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人： | 王勇,王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种稀磁半导体材料，其化学式为(Ba1‑xKx)(Zn1‑yMny)2As2，其中0＜x＜0.5，0＜y＜0.5。本发明还提供一种制备所述材料的方法，包括制备前驱体，其中前驱体为是Ba、K、Zn、Mn、As五种单质的混合物或BaAs、KAs、Zn、Mn、As的混合物，所述前驱体中摩尔比为Ba∶K∶Zn∶Mn∶As＝1‑x∶x∶2(1‑y)∶2y∶2，其中0＜x＜0.5，0＜y＜0.5；在惰性气体保护下，将所述前驱体加热至600至1000摄氏度，加热5小时以上，得到(Ba1‑xKx)(Zn1‑yMny)2As2。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种稀磁半导体材料，其化学式为(Ba1‑xKx)(Zn1‑yMny)2As2，其中0<x<0.5，0<y<0.5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210593000.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：丝绵机
- 下一篇：生物传感器及其制作方法
