[发明专利]氧化物薄膜晶体管结构及制作氧化物薄膜晶体管的方法无效
| 申请号： | 201210593030.9 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103915507A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 张民杰 | 申请（专利权）人： | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭露一种氧化物薄膜晶体管及制作氧化物薄膜晶体管的方法。氧化物薄膜晶体管结构具有一基板，一漏极设置于基板上。一第一绝缘层设置于基板与漏极上，此第一绝缘层上设置有一第一开口以暴露出部分的漏极表面。一栅极和一栅绝缘层依序设置于第一绝缘层上，且设置于第一开口的两侧。一金属氧化物通道层设置于栅绝缘层上以及第一开口中。一源极设置于金属氧化物通道层上，其中金属氧化物通道层中对应第一开口的位置作为通道区。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜晶体管 结构 制作 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜晶体管结构，其特征在于，其包括：一基板；一漏极，设置于该基板上；一第一绝缘层，设置于该漏极与该基板上，其中该第一绝缘层具有一第一开口以暴露出该漏极的部分上表面；一栅极，设置于该第一绝缘层上，且位于该第一开口的两侧；一栅绝缘层，设置于该栅极上，且位于该第一开口的两侧；一金属氧化物通道层，设置于该栅绝缘层上以及该第一开口中；以及一源极，设置于该金属氧化物通道层上，其中该金属氧化物通道层中对应该第一开口的位置作为通道区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瀚宇彩晶股份有限公司，未经瀚宇彩晶股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210593030.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
