[发明专利]一种量子阱发光层及其形成方法在审
| 申请号： | 201210593311.4 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103915535A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 吴明驰 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种量子阱发光层及其形成方法，其中该方法包括步骤：形成InGaN阱层；以及在InGaN阱层之上形成InGaN垒层，其中，形成InGaN垒层进一步包括：在InGaN阱层之上形成InGaN升温层；在InGaN升温层之上形成InGaN稳定层；以及在InGaN稳定层之上形成InGaN降温层，其中，InGaN阱层中的铟含量为第一含铟量，InGaN垒层中的铟含量为第二铟含量，第一铟含量大于第二铟含量。本发明能够提高量子阱发光层的内量子效率，促使LED外延片发光效率的提升，更适合大功率外延片的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 发光 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种量子阱发光层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.形成InGaN阱层；以及S2.在所述InGaN阱层之上形成InGaN垒层，其中，包括:S21.在所述InGaN阱层之上形成InGaN升温层；S22.在所述InGaN升温层之上形成InGaN稳定层；以及S23.在所述InGaN稳定层之上形成InGaN降温层，其中，所述InGaN阱层中的铟含量为第一含铟量，所述InGaN垒层中的铟含量为第二铟含量，所述第一铟含量大于所述第二铟含量。
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